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公司專注于激光晶體和激光器件。基于核心產品定位,芯飛睿逐步建立了專業的基礎硬件設施和技術研發團隊。芯飛睿擁有提拉爐,下降爐和熔鹽爐等等多種不同類型的晶體生長爐,用于生長各類光學晶體。建設有雙面拋光、環拋為主的平面拋光設備,用于各類激光晶體的加工。擁有離子輔助沉積(IAD)鍍膜機,用于高損傷閾值的激光鍍膜。建設了激光器件研發和生產條件,用于激光器件的研發和生產。

長晶車間擁有包括提拉爐,下降爐,熔鹽爐,熱交換爐在內的各種生長設備。 可生長各種摻雜的YVO4、YAG、 YLF、尖晶石、氟化物、BBO、 LBO、 CLBO等激光相關材料。 加工車間擁有包括X射線衍射儀,內圓切割機,單線切割機,多線切割機,無心磨床在內的多種加工設備。 可完成毛坯材料的粗加工。 拋光車間擁有包括手修磨拋機,數控平面精密銑磨機,雙面研磨拋光機,精密研磨拋光機,兩軸研磨拋光機,四軸精密研磨拋光機,平面精密環拋機,雙面研磨拋光機在內的多種拋光設備。 具有完整工藝的拋光產線4條(2條產線建設中)。可完成各類激光材料的高品質拋光。針對諸如鈦寶石,藍寶石等超高硬度材料開發了完整的拋光加工能力。

鍍膜車間擁有400m2超凈操作間,車間內擁有包括日本光馳1300CBI在內的多臺高性能鍍膜機。通過優化薄膜的設計與蒸鍍工藝,可實現紫外266nm-紅外10.6μm范圍內的高損傷閾值鍍膜。芯飛睿采用熱蒸發、電子蒸發和離子輔助沉積技術進行鍍膜,薄膜激光損傷閾值超過40J/cm2 @ 1064nm 5ns10Hz, 達到行業領先水平。器件裝配車間擁有100m2的超凈操作間,可進行480nm-1550nm范圍內的磁光,聲光, 電光器件研發,生產工作。檢測中心結合客戶使用需求,搭建了材料激光效率測試平臺,可對產品的激光性能參數進行測試。


長晶

長晶爐

  • 提拉法晶體生長生長爐
  • 溫度梯度法晶體生長爐
  • 下降法晶體生長爐
長晶爐

提拉法晶體生長方法及生長爐

提拉法是目前使用最為廣泛的工業化晶體生長方法,其通過坩堝上方懸吊籽晶,從熔體中緩慢向上旋轉提拉的方式來生長晶體,晶體尺寸,生長速率精準可控,生長過程可直接觀察監測,溫場條件靈活可變,用以匹配不同種類晶體的生長需求,可以適用于生長品類不同,尺寸各異的晶體。
其優點在于:

  • 適用性廣,是工業化生產使用最多的生長方式
  • 溫場條件靈活可變,適配不同種類晶體;(可根據生長晶體的不同物性來調整適當的溫場及生長工藝條件)
  • 生長過程直觀可見;(可通過觀察視窗觀察到晶體生長的過程,方便過程監控及工藝調整)
  • 可以生長直徑范圍在10-100mm,等徑長度超300mm的晶體;(匹配不同坩堝)

公司采用提拉法先后生長過多個系列幾十種晶體,包括:稀土或過渡金屬離子摻雜YAG系列,YAP系列,硅酸鹽系列,藍寶石系列,釩酸鹽系列,鈮酸鹽系列,硼酸鹽系列等幾十種晶體。

溫度梯度法晶體生長爐

該方法是通過使用特制的發熱體,在縱向方向上形成穩定的溫度梯度,在坩堝底部內置籽晶,從而實現晶體在坩堝內部自下而上的結晶生長。該方法生長過程中,坩堝靜置不動,內部熔體自然對流,更易于形成穩定的生長界面,生長高品質晶體。
其特點是:

  • 溫場梯度穩定性好
  • 溫度控制穩定性高,控溫精度±0.1℃
  • 晶體批量生長的穩定性好

常用于生長鈦寶石,紅寶石,V:YAG等高摻雜濃度,摻雜離子均勻性要求高的晶體。

下降法晶體生長爐

該方法是在生長區構建一個穩定的適用于結晶生長的溫度梯度,然后將坩堝緩慢的向下運動,穿過生長區,使得坩堝內部的原料在生長區內緩慢熔化、結晶生長,該方法突破了溫梯法固定溫區對坩堝尺寸的限制,能夠生長出尺寸更大,結晶高度更長的晶體。
其特點是:

  • 穩定性好
  • 靈活性好,可以匹配不同的坩堝,生長不同尺寸的晶體
  • 可以生長直徑更大,高度更高的晶體坯料
  • 可是適用于生長直徑35-200mm,高度到50-100mm尺寸的晶體

采用該方法設備成功生長了氟化物系列晶體,如MgF2, LiF, BaF2, CaF2, CeF3等,并用于批量生長直徑6英寸的氟化物系列晶體。


切割

單線切割機

多線切割機

通過一根高速穩定往復運轉的金剛線對固定在工作區間內的晶體坯料進行精密切割。常用于大型晶坯定向切割、開孔,線切割通過切割線切割晶體,結晶力小,切割過程平緩,不易開裂。

  • 工作區間大:500*500*500mm
  • 切割精度高:±0.05mm;
  • 旋轉角精度:<0.1°

多線切割機

通過多根高速穩定往復運轉的金剛線對固定在工作區間內的晶體坯料進行精密切割,在其工作區間內,一次能夠同時切割幾十到幾千片同一厚度的產品,所以常被用于大批量產品的快速精密加工。

  • 工作區間大:800*500*500mm
  • 切割精度高:±0.05mm;
  • 批量能力:~3000片/day

鍍膜

IAD-900-鍍膜機

IAD-900-鍍膜機

  • 離子源:VEECO_Mark_Ⅲ
  • 電子槍:日本-JEOL -BS-60050EBS
  • 膜厚儀:美國-INFICON-IC6
  • 真空系統:φ550低溫泵
  • 極限真空:2*10-5 Pa
  • 最大鍍膜工件:dia 300mm
  • 鍍膜波段:UV355-IR3500nm

IAD-1300-鍍膜機

  • 離子源:中科院空間中心
  • 電子槍:南京涉谷
  • 膜厚儀:MXC-3D
  • 真空系統:TK-500 擴散泵
  • 極限真空:4*10-5 Pa
  • 最大鍍膜工件:dia 500mm
  • 鍍膜波段:IR1500-IR10600nm
IAD-1300-鍍膜機

器件

封裝設備-包括cos焊接設備、平行焊接設備、手動金絲鍵合設備、LD快軸壓縮平臺等。

高低溫老化爐、高溫精密烤箱、XRD衍射儀、冷等靜壓成型機、高低溫能量測試平臺、激光波長計、光束發散角測試平臺、激光損傷測試平臺、影像儀、晶體光軸檢測平臺、晶體偏振消光比測試平臺、拉力測試平臺、摩擦磨損試驗機等。

HC-SM100 平行焊接設備

HC-SM100 平行焊接設備

  • 型號:KD-V43,
  • 極限真空<1*10-3pa,
  • 最大焊接面積:300*400mm,
  • 溫度范圍:最高可達450℃
  • 可以有效降低芯片焊接的空洞率、提高焊接強度,并改善芯片散熱水平。
  • 能夠提供泵源光源的可靠性以及工作穩定性。

真空共晶爐

  • 型號HC-SM100
  • 可以焊接的尺寸:3×3mm ~ 20×20mm
  • 焊接形狀:圓形、方形等
  • 焊接速度:0.1mm/s ~ 10mm/s
  • 通過真空烘烤和惰性氣體填充,能夠有效降低器件內部的水汽及氧氣含量,改善器件的高性能要求。
真空共晶爐
WT2330 系列超聲熱壓金絲球焊機

WT2330 系列超聲熱壓金絲球焊機

  • 型號:WT2330 系列
  • 鍵合類型:手動鍵合,
  • 可用金絲線徑:20-50um,
  • 一焊二焊最大跨度:可以達到4mm以上
  • 視覺系統:體視顯微鏡(5×、30×)
  • COS芯片封裝中不可缺少的工藝步驟,可以增加器件的可靠性。

研發成果


服務客戶

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